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    SiC MOSFET的實時結溫監控電路測量方案

    電子設計 ? 來源:powerelectronicsnews ? 作者:Maurizio Di Paolo Emi ? 2021-04-23 11:28 ? 次閱讀

    碳化硅設備或設備因在不久的將來有可能在電力電子設備(特別是大功率轉換器應用)中替代硅的傳統設備而聞名。1由于寬帶隙的可用性,高功率密度,較低的電阻和快速的開關頻率,所有這些都是可能的。高可靠性電源系統需要復雜,苛刻和復雜的條件和環境才能工作。經歷故障的大多數情況是功率半導體故障的結果,2由于半導體器件中的溫度水平和變化會引起電路故障,因此建議對溫度進行適當的監視,這將最終對下一代健康管理系統有所幫助。1準閾值電壓已用于提取結溫。

    準閾值電壓作為TSEP

    與MOS結構相關的閾值電壓(Vth)是負責在器件中創建導電通道的最小柵極電壓,并且允許電流在漏極和源極之間流動。圖1顯示,由于柵極驅動器電壓(Vgs)的數量比閾值電壓低,在從t0到t1的導通過渡開始點,漏極電流(Id)完全為零。已經觀察到,當Vgs到達t1時,它會移動到Vth。隨之,Id的值也會增加。在此,將準閾值電壓的概念解釋為在導通過程中與t1的時間相對應的柵極驅動電壓的值。4在圖1中顯示負溫度系數的結溫度升高時,注意到t1的量減少了。兩個重要變量(例如閾值電壓和結溫度)之間的現有關系為改變,因為觀察到Lss'上的電壓發生了變化。由于SiC MOSFET的開爾文源極和電源Lss'之間存在寄生電感,因此存在以同步方式突然升高電壓的高端可能性,該寄生電感最終將由電壓的上升反映出來。圖2顯示了四引腳SiC MOSFET的等效電路。

    pIYBAGB_852ACqHpAADmRszGUnQ364.png

    圖1:導通期間的開關波形

    pIYBAGB_86eALSzBAAFAumuoZFc192.png

    圖2:等效電路

    準Vth測量電路及其工作原理

    圖3顯示了完整的過程,通過新穎的方法提取準確的準Vth,取決于在電源端子和輔助電源端子之間接通電源驅動時寄生電感上的電壓下降的時間。圖3的框圖清楚地顯示了測量電流的方法。

    pIYBAGB_87WAa7LDAAIOEM4UdoY225.png

    圖3:測量電路框圖

    該圖所示的電路包括三個部分:

    • 驅動部分
    • 比較部分
    • 采樣保持部分
    • 驅動部分驅動部分

    的功能是通過切換到較大的驅動電阻來測量準Vth。SiC MOSFET由TMS320F28335產生的PWM信號隔離來驅動。

    比較部分

    該部分負責將Vss'中存在的模擬脈沖轉換為邏輯信號。

    采樣保持部分

    差分放大器AMP1用于在接通瞬態階段之間獲得Vgs。

    已經注意到,通常在SiC MOSFET的Vgs之后是電容器C,而準Vth由閉合的JFET保持。

    實驗裝置

    圖4顯示了已經為實驗完成的測試。該實驗由帶有雙脈沖測試電路,續流二極管,驅動器環路和負載電感的被測設備組成。

    pIYBAGB_8-KAMSnSAAC58zhJ7o0684.png

    圖4:用于實驗的等效電路

    圖5顯示了要執行的實驗的完整設置。對于測試設備,已使用SiC MOSFET和TO-247。使用雙脈沖測試板安裝設備,熱量由J946溫度控制器提供,該溫度控制器實際上是對分立設備中閉環溫度的控制。圖6顯示了如何使用紅外熱像儀捕獲條狀芯片。

    o4YBAGB_8_CAb8DvAAZJi98V_cE950.png

    圖5:完整的實驗設置

    o4YBAGB_8_2AMsN8AAZMl96Is4Y695.png

    圖6:結溫校準設置

    結果

    結果表明,閾值電壓與結溫成線性關系。當結從36°C升高到118°C時,準Vth改變0.358V。負載電流也從10 A改變為28 A,結果表明電流變化的影響是幾乎可以忽略不計,但是Vds(直流母線電壓)的影響更大。由于電容器Cgd,直流母線電壓的增加導致準Vth的測量值變小,并且其值隨電壓從200 V增加到600 V而減小。

    結論

    本文介紹了一種新穎的測量電路,以測量用于測量SiC MOSFET的實時或實際結溫??梢钥闯?,出于訂購和處理數據或電流傳感器的目的,不需要本質上復雜的任何算法。該實驗的最終結果表明,與準Vth的結溫之間存在良好的靈敏度線性關系。在SiC MOSFET的雙脈沖測試下,溫度系數為–4.3mV /°C。負載電流不負責這項技術,它直接與直流鏈路電壓相連,并且不影響上面提到的線性和靈敏度因素。所有數據均已從真實來源仔細收集。

    參考文獻

    1于恒宇,江希,陳建軍,王軍,沉正。一種新型的SiC MOSFET實時結溫監測電路。

    2H. Wang,M。Liserre和F. Blaabjerg,“邁向可靠的電力電子:挑戰,設計工具和機遇”,IEEE工業電子雜志,第1卷?!?,第7卷,第2期,第17-26頁,2013年6月。

    3P. Ghimire,S。Beczkowski,S。Munk-Nielsen,B。Rannestad和PBTh?gersen,“實時物理測量技術及其預測igbt磨損狀態的嘗試的綜述”,2013年第15屆歐洲會議關于電力電子和應用(EPE),2013年9月,第1-10頁。

    4B. J. Baliga,《功率半導體器件基礎》。紐約州:施普林格,2008年。

    編輯:hfy

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      的頭像 Les 發表于 01-04 11:37 ? 677次 閱讀

      Microchip 2021年度新產品匯總(2)

      2021年是Microchip高產的一年,發布了大量全新產品。僅在中國區發布新聞稿的就達40款。小編....
      的頭像 Microchip微芯 發表于 01-03 16:13 ? 472次 閱讀

      一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路

      MOSFET 因導通內阻低、 開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET 的驅動常根據電源 IC 和 MOSFET 的...
      發表于 01-03 06:34 ? 0次 閱讀

      MOSFET的門源極并聯電容相關資料下載

      MOSFET門 源極并聯電容后,開關可靠性得到提升開關電路如下圖電路解釋開關電路如下圖電路解釋1.該電路用于高邊開關,當MO...
      發表于 12-30 07:40 ? 0次 閱讀

      開關電源的損耗有哪幾種呢

      3、開關動態損耗?? 由于開關損耗是由開關的非理想狀態引起的,很難估算MOSFET 和二極管的開關損耗,器件從完全導通到完全...
      發表于 12-29 07:52 ? 0次 閱讀

      HX880系列模塊有哪些應用呢

      HX880 系列模塊是基于ISO/IEC14443 –1,-2,-3和ISO15693國際標準協議開發的非接觸式智能卡讀寫模塊。它采用高集成度讀...
      發表于 12-20 06:25 ? 0次 閱讀

      負載點DC-DC轉換器解決電壓精度、效率和延遲問題

      為什么使用DC-DC轉換器應盡可能靠近負載的負載點(POL)電源? 效率和精度是兩大優勢,但實現POL轉換需要特別注意穩壓...
      發表于 12-14 07:00 ? 909次 閱讀

      電池充電器的反向電壓保護

      引言 處理電源電壓反轉有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負載之間連接一個二極管,但是由于二極管正向電壓的原因,...
      發表于 12-02 09:18 ? 1523次 閱讀

      逆變器電路淺析

      PWM 是一種對模擬信號電平進行數字編碼的方法。通過高分辨率計數器的使用,方波的占空比被調制用來對一個具體模擬信號的電平進...
      發表于 11-18 07:00 ? 1444次 閱讀

      MOSFET驅動電路原理圖及PCB板設計

      CREE第二代SiCMOSFET驅動電路原理圖及PCB板設計電路原理圖光耦隔離電路和功率放大電路原理圖隔離電源電路原理圖P...
      發表于 11-15 07:26 ? 303次 閱讀

      基于MOSFET的小功率穩壓電源設計

      功率場效應管MOSFET是一種單極型電壓控制器件,它不但具有自關斷能力,而且具有驅動功率小,關斷速度快等優點,是目前開關...
      發表于 11-12 08:50 ? 0次 閱讀

      STEVAL-ISA050V1 STEVAL-ISA050V1單片VR用于基于所述PM6641單片VR為芯片組和DDR2芯片組和DDR2 / 3演示板/ 3供應用于超移動PC(UMPC)應用

      部為0.8V±1%的電壓基準 2.7 V至5.5 V輸入電壓范圍 快速響應,恒定頻率,電流模式控制 三個獨立,可調節, SMPS對于DDR2 / 3(VDDQ)和芯片組供應 S3-S5狀態兼容DDR2 / 3部分 有源軟端所有輸出 為VDDQ可選跟蹤放電 獨立的電源良好信號 脈沖在輕負載跳過 可編程電流限制和軟啟動所有輸出 鎖存OVP,UVP保護 熱保護 參考和終止電壓(VTTREF和VTT )±2的.apk LDO為DDR2 / 3端點(VTT)與折返 遠程VTT輸出感測 在S3高阻VTT輸出 ±15 mA低噪聲DDR2 / 3緩沖基準(VTTREF) 在STEVAL-ISA050V1演示板是基于PM6641,這是一個單片電壓調節器模塊,具有內部功率MOSFET,專門設計來提供DDR2 /在超移動PC和房地產便攜式系統3內存和芯片組。它集成了三個獨立的,可調節的,恒定頻率的降壓轉換器,一個±2的.apk低壓降(LDO)線性調節器和±15 mA低噪聲緩沖基準。每個調節器提供基本電壓下(UV)和過電壓(OV)的保護,可編程軟啟動和電流限制,有源軟端的和跳脈沖在輕負載。...
      發表于 05-21 05:05 ? 176次 閱讀

      AEK-MOT-SM81M1 AEK-MOT-SM81M1根據該L99SM81V用于汽車應用的步進電機驅動器評估板

      用于汽車應用L99SM81V可編程步進電機驅動器板的功能: 具有微步進和保持功能 BEMF監測失速檢測 經由SPI可編程配置 5V內部線性電壓調節器(輸出上板連接器可用) 板反向電池保護用STD95N4F3 MOSFET,其可以具有兩個被取代可選地安裝二極管和一個跨接 輸入工作電壓范圍從6 V至28 V 輸出電流至1.35A 板尺寸:65毫米長×81毫米寬×11毫米最大元件高度 WEEE和RoHS標準 所有ST組分是合格汽車級 的AutoDevKit部分?主動 應用:汽車雙極步進電動機 在AEK-MOT-SM81M1評估板設計用于驅動在微步進模式中的雙極步進電機,與COI升電壓監測失速檢測。...
      發表于 05-20 18:05 ? 251次 閱讀

      ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移動應用程序的平板電腦和智能手機

      或產品號的產品搜索能力 技術數據表下載和離線咨詢 訪問主要產品規格(主要電氣參數,產品一般說明,主要特點和市場地位) 對產品和數據表 能夠通過社交媒體或通過電子郵件共享技術文檔 適用于Android收藏節?和iOS?應用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android?和iOS?的應用程序,它可以讓你探索的ST功率MOSFET產品組合使用便攜設備。您可以輕松地定義設備最適合使用參數搜索引擎應用程序。您還可以找到你的產品由于采用了高效的零件號的搜索引擎。...
      發表于 05-20 17:05 ? 249次 閱讀

      STEVAL-POE006V1 STEVAL-POE006V13.3V / 20A 有源鉗位正激轉換器 以太網供電(PoE)的IEEE 802.3bt標準的參考設計

      805的PoE-PD接口的 特點: 系統在封裝中集成一個雙活性橋,熱插拔MOSFET和PoE的PD 支持傳統高功率,4對應用 100伏與0.2Ω總路徑電阻N溝道MOSFET,以每個有源橋 標識哪些種PSE(標準或傳統)它被連接到,并提供成功的符合IEEE 802.3af / AT / BT分類指示為T0,T1和T2信號的組合(漏極開路) 通過STBY,仿和RAUX控制信號智能操作模式選擇的PM8804 PWM控制器的 QFN 56 8x8mm封裝43個管腳和6個露出墊 特點: PWM峰值電流模式控制器 輸入操作電壓高達75伏 內部高電壓啟動調節器與20毫安能力 可編程固定頻率高達1MHz 可設置的時間 軟關閉(任選地禁用) 雙1A PK ,低側互補柵極驅動器 GATE2可以被關閉以降低功耗 80 %的最大占空比與內部斜率補償 QFN 16 3x3mm的封裝,帶有裸墊 此參考設計表示3.3 V,20 A轉換器解決方案非常適合各種應用,包括無線接入點,具有的PoE-PD接口和一個DC-DC有源鉗位正激變換器提供。...
      發表于 05-20 12:05 ? 127次 閱讀

      STEVAL-ISA165V1 用于與STP120N4F6 LLC諧振轉換器SRK2001自適應同步整流控制器

      LLC諧振變換器的同步整流器,具有自適應的導通和關斷 V CC 范圍:4.5 V至32 V 最大頻率:500kHz的 對于N溝道MOSFET雙柵驅動器(STRD級驅動程序) SR MOSFET類型:STP120N4F6(40 N - 4.3MΩ)TO -220 符合RoHS 在STEVAL-ISA165V1是產品評估電路板,旨在演示SRK2001同步整流控制器的性能。所述SRK2001器具的控制方案特異于在使用的變壓器與繞組的全波整流中間抽頭次級LLC諧振轉換器的次級側同步整流。它提供了兩個高電流柵極驅動輸出(用于驅動N溝道功率MOSFET)。每個柵極驅動器被單獨地控制和聯鎖邏輯電路防止兩個同步整流器(SR)MOSFET同時導通。裝置的操作是基于兩者的導通和關斷的同步整流MOSFET的自適應算法。在快速的負載轉變或上述諧振操作期間,另外的關斷機構設置的基礎上,比較器ZCD_OFF觸發非??斓腗OSFET關斷柵極驅動電路。該板包括兩個SR的MOSFET(在一個TO-220封裝),并且可以在一個現有的轉換器,作為整流二極管的替代很容易地實現。...
      發表于 05-20 12:05 ? 123次 閱讀

      STEVAL-IPMM15B STEVAL-IPMM15B基于STIB1560DM2T-L SLLIMM第二系列MOSFET IPM 1500W的電機控制電源板

      電壓:125 - 400 VDC 額定功率:高達1500W的 允許的最大功率是關系到應用條件和冷卻系統 額定電流:最多6 A 均方根 輸入輔助電壓:高達20 V DC 單或用于電流檢測的三分流電阻(與感測網絡) 電流檢測兩個選項:專用的運算放大器或通過MCU 過電流保護硬件 IPM的溫度監測和保護 在STEVAL-IPMM15B是配備有SLLIMM(小低損耗智能模制模塊)第二串聯模塊的小型電動機驅動電源板第二系列n溝道超結的MDmesh?DM2快速恢復二極管(STIB1560DM2T-L)。它提供了一種用于驅動高功率電機,用于寬范圍的應用,如白色家電,空調機,壓縮機,電動風扇,高端電動工具,并且通常為電機驅動器3相逆變器的負擔得起的,易于使用的解決方案。...
      發表于 05-20 10:05 ? 181次 閱讀

      NCP81143 VR多相控制器

      43多相降壓解決方案針對具有用戶可配置3/2/1相位的Intel VR12.5兼容CPU進行了優化。該控制器結合了真正的差分電壓檢測,差分電感DCR電流檢測,輸入電壓前饋和自適應電壓定位,為臺式機和筆記本電腦應用提供精確調節的電源。該控制系統基于雙邊沿脈沖寬度調制(PWM)與DCR電流檢測相結合,以降低的系統成本提供對動態負載事件的最快初始響應。它具有在輕負載運行期間脫落到單相的能力,并且可以在輕負載條件下自動調頻,同時保持優異的瞬態性能。 NCP81143提供兩個內部MOSFET驅動器,帶有一個外部PWM信號。提供高性能操作誤差放大器以簡化系統的補償。獲得專利的動態參考注入無需在閉環瞬態響應和動態VID性能之間進行折衷,從而進一步簡化了環路補償。獲得專利的總電流求和提供高精度的數字電流監控。 應用 終端產品 基于工業CPU的應用程序 信息娛樂,移動,自動化,醫療和安全 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 08-09 11:36 ? 628次 閱讀

      NCV898031 非同步SEPIC /升壓控制器 2 MHz

      031是一款可調輸出非同步2 MHz SEPIC / boost控制器,用于驅動外部N溝道MOSFET。該器件采用峰值電流模式控制和內部斜率補償。該IC集成了一個內部穩壓器,為柵極驅動器提供電荷。 保護功能包括內部設置軟啟動,欠壓鎖定,逐周期電流限制和熱關斷。 其他功能包括低靜態電流睡眠模式和微處理器兼容使能引腳。 特性 優勢 具有內部斜率補償的峰值電流模式控制 寬輸入電壓和負載范圍內的良好瞬態響應 1.2 V 2%參考電壓 準確的電壓調節 2 MHz固定頻率操作 卓越的瞬態響應,較小尺寸的濾波元件,基頻高于AM頻段 寬輸入電壓范圍3.2 V至40 V,45 V負載轉儲 適用于各種應用 輸入Und ervoltage Lockout(UVLO) 禁用欠壓條件下的啟動 內部軟啟動 減少啟動期間的浪涌電流 睡眠模式下的低靜態電流 非常低的關閉狀態電流消耗 逐周期電流限制保護 防止過電流情況 打嗝模式短路保護(SCP) 防止短路故障 熱關斷(TSD) 熱保護IC 應用 終端產品 啟動 - 停止系統 SEPIC(非反相降壓 - 升壓),升壓,反激...
      發表于 07-29 19:02 ? 496次 閱讀
      NCV898031 非同步SEPIC /升壓控制器 2 MHz

      NCV8851-1 汽車平均電流模式控制器

      1-1是一款可調輸出,同步降壓控制器,可驅動雙N溝道MOSFET,是大功率應用的理想選擇。平均電流模式控制用于在寬輸入電壓和輸出負載范圍內實現非??焖俚乃矐B響應和嚴格調節。該IC集成了一個內部固定的6.0 V低壓差線性穩壓器(LDO),為開關模式電源(SMPS)底柵驅動器提供電荷,從而限制了過多柵極驅動的功率損耗。該IC設計用于在寬輸入電壓范圍(4.5 V至40 V)下工作,并且能夠在500 kHz下進行10至1次電壓轉換。其他控制器功能包括欠壓鎖定,內部軟啟動,低靜態電流睡眠模式,可編程頻率,SYNC功能,平均電流限制,逐周期過流保護和熱關斷。 特性 優勢 平均電流模式控制 快速瞬態響應和簡單的補償器設計 0.8 V 2%參考電壓 可編程輸出電壓的嚴格公差 4.5 V至40 V的寬輸入電壓范圍 允許通過負載突降情況直接調節汽車電池 6.0 V低壓差線性穩壓器(LDO) 耗材柵極驅動器的內部電源 輸入UVLO(欠壓鎖定) 在欠壓條件下禁用啟動 內部軟啟動 降低浪涌電流并避免啟動時輸出過沖 睡眠模式下1.0μA的最大靜態電流 睡眠電流極低 自適應非重疊...
      發表于 07-29 19:02 ? 607次 閱讀

      LV5725JA 降壓轉換器 DC-DC 1通道

      JA是一個降壓電壓開關穩壓器。 特性 優勢 寬輸入動態范圍:4.5V至50V 可在任何地方使用 內置過流逐脈沖保護電路,通過外部MOSFET的導通電阻檢測,以及HICCUP方法的過流保護 燒傷保護 熱關閉 熱保護 負載獨立軟啟動電路 控制沖擊電流 外部信號的同步操作 它可以改善發生兩個穩壓器IC之間的振蕩器時鐘節拍 電源正常功能 穩定性操作 外部電壓為輸出電壓高時可用 應用 降壓方式開關穩壓器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-29 19:02 ? 356次 閱讀

      FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初級側調節PWM

      代初級側調節(PSR)和高度集成的PWM控制器提供多種功能,以增強低功耗反激式轉換器的性能。 FSEZ1317WA的專有拓撲結構TRUECURRENT?可實現精確的CC調節,并簡化電池充電器應用的電路設計。與傳統設計或線性變壓器相比,可以實現低成本,更小,更輕的充電器。為了最大限度地降低待機功耗,專有綠色模式提供關斷時間調制,以在輕載時線性降低PWM頻率條件。綠色模式有助于電源滿足節能要求。 通過使用FSEZ1317WA,可以用很少的外部元件實現充電器并降低成本。 特性 30mW以下的低待機功率 高壓啟動 最少的外部元件計數 恒壓(CV)和恒流(CC)控制無二次反饋電路 綠色模式:線性降低PWM頻率 固定頻率為50kHz的PWM頻率以解決EMI問題 CV模式下的電纜補償 CV中的峰值電流模式控制模式 逐周期電流限制 V DD 使用Auto Restar進行過壓保護t V DD 欠壓鎖定(UVLO) 柵極輸出最大電壓鉗位在15V 自動重啟固定過溫保護 7導聯SOP 應用 電子書閱讀器 外部AC-DC商用電源 - 便攜消費型 外部AC-D...
      發表于 07-29 19:02 ? 391次 閱讀

      FSEZ1016A 帶有集成式MOSFET的初級端調節PWM控制器

      度集成的PWM控制器具備多種功能,可增強低功率反激轉換器的性能.FSEZ1016A專有的拓撲簡化了電路設計,特別是電池充電器應用中的電路設計。與傳統設計或線性變壓器相比,它成本更低,尺寸更小,具有更輕的充電器。啟動電流僅為10μA,允許使用大啟動電阻以實現進一步的節能。為了最大限度地降低待機功耗,專有綠色模式提供了關斷時間調制,以在輕載條件下線性降低PWM頻率。綠色模式有助于電源達到節電要求。通過使用FSEZ1016A,充電器可以用極少的外部元件和最低的成本來完成.FSEZ1016A系列控制器提供7引腳SOIC封裝。 特性 恒壓(CV)和恒流(CC)控制( 通過飛兆專有的TRUECURRENT?技術實現精準恒定電流 綠色模式功能:線性降低PWM頻率 42 kHz的固定PWM頻率(采用跳頻來解決電磁干擾問題) 恒壓模式下的電纜補償 低啟動電流:10μA 低工作電流:3.5 mA 恒壓模式下的峰值電流模式控制 逐周期限流 V DD 過壓保護(帶自動重啟) V DD 欠壓鎖定(UVLO) 帶閂鎖的固定過溫保護(OTP) 采用SOIC-7封裝 應用 ...
      發表于 07-29 19:02 ? 1591次 閱讀

      NCP81231 降壓控制器 USB供電和C型應用

      31 USB供電(PD)控制器是一款針對USB-PD C型解決方案進行了優化的同步降壓控制器。它們是擴展塢,車載充電器,臺式機和顯示器應用的理想選擇。 NCP81231采用I2C接口,可與uC連接,以滿足USB-PD時序,壓擺率和電壓要求。 NCP81231工作在4.5V至28V 特性 優勢 I2C可配置性 允許電壓曲線,轉換速率控制,定時等 帶驅動程序的同步降壓控制器 提高效率和使用標準mosfet 符合USB-PD規范 支持usb-pd個人資料 過壓和過流保護 應用 終端產品 USB Type C 網絡配件 消費者 ??空?車載充電器s 網絡中心 桌面 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-29 19:02 ? 543次 閱讀

      NCP81239 4開關降壓 - 升壓控制器 USB供電和C型應用

      39 USB供電(PD)控制器是一種同步降壓升壓,經過優化,可將電池電壓或適配器電壓轉換為筆記本電腦,平板電腦和臺式機系統以及使用USB的許多其他消費類設備所需的電源軌PD標準和C型電纜。與USB PD或C型接口控制器配合使用時,NCP81239完全符合USB供電規范。 NCP81239專為需要動態控制壓擺率限制輸出電壓的應用而設計,要求電壓高于或低于輸入電壓。 NCP81239驅動4個NMOSFET開關,允許其降壓或升壓,并支持USB供電規范中指定的消費者和供應商角色交換功能,該功能適用??于所有USB PD應用。 USB PD降壓升壓控制器的工作電源和負載范圍為4.5 V至28 V. 特性 優勢 4.5 V至28 V工作范圍 各種應用的廣泛操作范圍 I2C接口 允許uC與設備連接以滿足USB-PD電源要求 將頻率從150 kHz切換到1200 kHz 優化效率和規模權衡 過渡期間的壓擺率控制 允許輕松實施USB-PD規范 支持USB-PD,QC2.0和QC3.0配置文件 過電壓和過流保護 應用 終端產品 消費者 計算 銷售點 USB Type-C USB PD 桌面 集線器 擴展...
      發表于 07-29 19:02 ? 766次 閱讀

      ADP3211 同步降壓控制器 7位 可編程 單相

      1是一款高效的單相同步降壓開關穩壓控制器。憑借其集成驅動器,ADP3211經過優化,可將筆記本電池電壓轉換為高性能英特爾芯片組所需的電源電壓。內部7位DAC用于直接從芯片組或CPU讀取VID代碼,并將GMCH渲染電壓或CPU核心電壓設置為0 V至1.5 V范圍內的值。 特性 優勢 單芯片解決方案。完全兼容英特爾?IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片組電壓調節器規格集成MOSFET驅動器。 提高效率。 輸入電壓范圍為3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感應核心電壓誤差超溫。 提高效率。 自動節電模式可在輕負載運行期間最大限度地提高效率。 提高效率。 軟瞬態控制可降低浪涌電流和音頻噪聲。 當前和音頻縮減。 獨立電流限制和負載線設置輸入,以增加設計靈活性。 改進設計靈活性ity。 內置電源良好屏蔽支持電壓識別(VID)OTF瞬變。 提高效率。 具有0V至1.5V輸出的7位數字可編程DAC。 提高效率。 短路保護。 改進保護。 當前監聽輸出信號。 提高效率。 這是一款無鉛設備。完全符合RoHS標準和32引...
      發表于 07-29 19:02 ? 566次 閱讀

      NCP81149 具有SVID接口的單相電壓調節器 適用于計算應用

      49是一款單相同步降壓穩壓器,集成了功率MOSFET,可為新一代計算CPU提供高效,緊湊的電源管理解決方案。該器件能夠在帶SVID接口的可調輸出上提供高達14A TDC的輸出電流。在高達1.2MHz的高開關頻率下工作,允許采用小尺寸電感器和電容器,同時由于采用高性能功率MOSFET的集成解決方案而保持高效率。具有來自輸入電源和輸出電壓的前饋的電流模式RPM控制確保在寬操作條件下的穩定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封裝。 特性 優勢 4.5V至25V輸入電壓范圍 針對超極本和筆記本應用進行了優化 支持11.5W和15W ULT平臺 符合英特爾VR12.6和VR12.6 +規格 使用SVID接口調節輸出電壓 可編程DVID Feed - 支持快速DVID的前進 集成柵極驅動器和功率MOSFET 小外形設計 500kHz~1.2MHz開關頻率 降低輸出濾波器尺寸和成本 Feedforward Ope輸入電源電壓和輸出電壓的比例 快線瞬態響應和DVID轉換 過流,過壓/欠壓和熱保護 防止故障 應用 終端產品 工業應用 超極本應用程序 筆記本應用程序 集成POL U...
      發表于 07-29 19:02 ? 357次 閱讀

      NCP81141 Vr12.6單相控制器

      41單相降壓解決方案針對Intel VR12.6兼容CPU進行了優化。該控制器結合了真正的差分電壓檢測,差分電感DCR電流檢測,輸入電壓前饋和自適應電壓定位,為臺式機和筆記本電腦應用提供精確調節的電源。單相控制器采用DCR電流檢測,以降低的系統成本提供對動態負載事件的最快初始響應.NCP81141集成了內部MOSFET驅動器,可提高系統效率。提供高性能操作誤差放大器以簡化系統的補償。獲得專利的動態參考注入無需在閉環瞬態響應和動態VID性能之間進行折衷,從而進一步簡化了環路補償。獲得專利的總電流求和提供高精度的數字電流監控。 應用 終端產品 基于工業CPU的應用程序 信息娛樂,移動,自動化,醫療和安全 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-29 18:02 ? 743次 閱讀

      NCP81147 低壓同步降壓控制器

      47是一款單相解決方案,具有差分相電流檢測,同步輸入,遠程接地節能操作和柵極驅動器,可提供精確調節的電源。自適應非重疊柵極驅動和省電操作電路為服務器,筆記本和臺式機系統提供低開關損耗和高效率解決方案。提供高性能操作誤差放大器以簡化系統的補償。 NCP81147還具有軟啟動序列,精確的過壓和過流保護,用于電源軌的UVLO和熱關斷。 特性 優勢 內部高性能運算放大器 簡化系統補償 集成MOSFET驅動器 節省空間并簡化設計 熱關機保護 確保穩健的設計 過壓和過流保護 確保穩健設計 省電模式 在輕載操作期間最大限度地提高效率 支持5.0 V至19 V輸入 5.0 V至12 V操作 芯片使能功能通過OSC引腳 保證啟動進入預充電負載 內部軟啟動/停止 振蕩器頻率范圍為100 kHz至1000 kHz OCP準確度,鎖定前的四次重入時間 無損耗差分電感電流檢測 內部高精度電流感應放大器 20ns內部柵極驅動器的自適應FET非重疊時間 Vout從0.8V到3.3 V(5V,12V VCC) 熱能補償電流監測 ...
      發表于 07-29 18:02 ? 638次 閱讀

      NCP5230 低壓同步降壓控制器

      0是一款單相解決方案,具有差分相電流檢測,同步輸入,遠程接地節能操作和柵極驅動器,可提供精確調節的電源。自適應非重疊柵極驅動和省電操作電路為服務器,筆記本和臺式機系統提供低開關損耗和高效率解決方案。提供高性能操作誤差放大器以簡化系統的補償。 NCP5230還具有軟啟動序列,精確的過壓和過流保護,用于電源軌的UVLO和熱關斷。 特性 高性能誤差放大器 >內部軟啟動/停止 0.5%內部電壓精度,0.8 V基準電壓 OCP精度,鎖存前四次重入時間無損差分電感電流檢測內部高精度電流檢測放大器振蕩器頻率范圍100 kHz 1000 kHz 20 ns自適應FET內部柵極驅動器非重疊時間 5.0 V至12 V操作支持1.5 V至19 V Vin Vout 0.8 V至3.3 V(具有12 VCC的5 V電壓)通過OSC引腳實現芯片功能鎖存過壓保護(OVP)內部固定OCP閾值保證啟動預充電負載 熱補償電流監控 Shutdow n保護集成MOSFET驅動器集成BOOST二極管,內部Rbst = 2.2 自動省電模式,最大限度地提高光效率負載運行同步功能遠程地面傳感這是一個無鉛設備 應用 桌面和服務器系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-29 17:02 ? 602次 閱讀

      NCP3030 同步PWM控制器

      0是一款PWM器件,設計用于寬輸入范圍,能夠產生低至0.6 V的輸出電壓.NCP3030提供集成柵極驅動器和內部設置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振蕩器。 NCP3030還具有外部補償跨導誤差放大器,內置固定軟啟動。保護功能包括無損耗電流限制和短路保護,輸出過壓保護,輸出欠壓保護和輸入欠壓鎖定。 NCP3030目前采用SOIC-8封裝。 特性 優勢 輸入電壓4.7 V至28 V 從不同輸入電壓源調節的能力 0.8 V +/- 1.5%參考電壓 能夠實現低輸出電壓 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高頻操作允許使用小尺寸電感器和電容器 > 1A驅動能力 能夠驅動低Rdson高效MOSFET 電流限制和短路保護 高級保護功能 輸出過壓和欠壓檢測 高級保護功能 具有外部補償的跨導放大器 能夠利用所有陶瓷輸入和輸出電容器 集成升壓二極管 減少支持組件數量和成本 受管制的軟啟動 已結束軟啟動期間的環路調節可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 適用于汽車應用 應用 終端產品 ...
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      NCP3030 同步PWM控制器
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