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    第三代半導體襯底材料供應商 中圖科技科創板IPO進入已問詢狀態

    Carol Li ? 2021-04-22 18:26 ? 次閱讀

    4月21日,上海證券交易所網站顯示,廣東中圖半導體科技股份有限公司(簡稱“中圖科技”)科創板IPO進入已問詢狀態。

    中圖科技是一家面向藍寶石上氮化鎵(GaN on Sapphire)半導體技術的專業襯底材料供應商。公司根據不同的LED芯片應用領域及其外延技術特征進行適配的襯底材料開發,通過圖形化結構設計、不同材料組合應用、工藝制程實現等,為GaN LED芯片提供襯底材料綜合解決方案。


    目前,公司主要產品包括2至6英寸圖形化藍寶石襯底(PSS)、圖形化復合材料襯底(MMS),主要應用于照明、顯示、背光源、Mini/Micro LED、深紫外 LED 等領域。

    報告期內,公司主營業務收入按產品分類如下:


    公司本次發行募集資金在扣除發行費用后將全部用于投資以下項目:


    全球市場占有率約 29.69% 位于第一梯隊

    氮化鎵(GaN)材料是第三代半導體的代表,其具有出色的抗擊穿能力,耐受更高的電子密度,有更高的電子遷移率,在半導體中通常用于光電子、微波射頻和電力電子三大領域。

    GaN 產業鏈一般劃分為上游的材料即襯底和外延片、中游的器件和模組、下游的系統和應用。GaN 材料的應用,主要包括襯底制備和外延工藝兩個環節。襯底是制作半導體器件的基礎材料,一般為外延材料的同質材料或適配的異質材料制成的晶圓片。半導體行業的外延概念,是指在襯底上生長一層新單晶薄膜的過程,新單晶薄膜可以與襯底為同質材料,也可以是異質材料。經過外延生長環節制成的外延片,是半導體器件制造的基礎原材料。

    藍寶石是目前 GaN 器件使用量最大、最成熟的襯底材料,通過藍寶石襯底制造的 GaN 器件通常被歸類為藍寶石上氮化鎵技術產品(GaN on Sapphire),大部分光電應用的 GaN 器件都是通過藍寶石襯底外延 GaN 制造的。GaN 半導體器件的另外兩種常用襯底是 Si 和 SiC,通常稱為 GaN-on-Si(硅基氮化鎵)和 GaN-on-SiC(碳化硅基氮化鎵)器件,目前主要應用在射頻器件、功率器件等領域。

    中圖科技是一家面向藍寶石上氮化鎵(GaN on Sapphire)半導體技術的專業襯底材料供應商。經過持續努力,公司已成為全球 LED 產業鏈中具有突出競爭優勢的襯底材料供應商,折合 4 英寸的圖形化襯底的年產能超 1,300 萬片,與全球主要 LED 芯片制造企業建立了長期合作關系。目前公司已成為華燦光電、晶元光電、首爾偉傲世、兆馳股份、澳洋順昌、乾照光電、聚燦光電等頭部 LED 芯片企業的主要襯底供應商。

    根據LEDinside公開數據,2019 年全球折合 4 英寸的 GaN-LED 外延片的產量為 3,755 萬片,GaN-LED 外延片以 PSS 襯底為核心原材料,考慮外延廠 2019 年整體去庫存的影響及良率消耗,PSS 需求量應當與外延片產量相當。因此,2019 年全球 PSS 襯底需求量約 3,755 萬片,2019 年公司圖形化襯底的實際銷售總量達 983.31 萬片,全球市場占有率約 26.19%。據 LEDinside 預測,2020 年全年 GaN-LED 外延片產量達到 4,038 萬片,增長約 7.54%,而公司 2020 年總銷售量約 1,198.86 萬片,測算 2020 年全球市場占有率約 29.69%,進一步提升了3.50%。

    根據 LEDinside 披露,目前全球圖形化襯底廠商按綜合競爭力排名可分為兩個梯隊:第一梯隊包括中圖科技、福建晶安,第二梯隊包括博藍特、徐州同鑫、水晶光電、元旭光電等。其中,第一梯隊的福建晶安系三安光電的全資子公司,其圖形化襯底產品主要供三安光電內部使用。

    公司與行業內主要企業的對比情況如下:


    未來發展戰略

    自創立至今,中圖科技一直圍繞著第三代半導體氮化鎵材料技術進行圖形化襯底的開發與產業化,多年來占據了圖形化藍寶石襯底這一細分領域的領先位置,為促使公司的發展更上一個臺階,2020 年,公司制定了新的發展規劃,確定了公司發展的方向:

    一是持續發展主營業務,圍繞著 GaN LED 芯片技術,鞏固公司圖形化襯底的行業領先地位。公司將保持在圖形化襯底產能規模、技術、品質上的領先位置,以圖形化襯底為出發點,加大研發投入,從藍寶石平片加工、圖形化技術到外延材料生長,實現 LED 上游材料核心環節的協同研究。進一步提升圖形化襯底的綜合水平,配合客戶提高 LED 芯片的性價比,同時開發各種類 LED 新應用的適 配襯底,推進新技術應用的開發。LED 具有廣闊的應用前景和龐大的市場需求, 公司將繼續夯實在 LED 這一大行業中的細分領域領先地位,立足產業鏈上游,與行業上下游企業協同創新,共謀發展。

    二是沿著藍寶石上氮化鎵技術進行橫向發展,充分發揮藍寶石上氮化鎵外延層晶體質量較好的優勢,開發藍寶石上氮化鎵的其他應用技術,為藍寶石上氮化 鎵器件提供一個具有競爭優勢的材料解決方案。同時,公司將利用多年來積累的產業資源,挖掘產業鏈配套細分領域的產業發展機會,與公司襯底材料業務形成 良性互補,進一步提升公司的綜合競爭力。

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    發表于 09-08 14:11 ? 441次 閱讀
    充電芯片SW3518實現氮化鎵多口快充適配器 A+C/ACC/A+A搭配SW3516可做45W、65W/100W可實現功率可分配方案

    氮化鎵與矽的MOS開關比較

    由於寬能隙功率元件的優異切換性能,近幾年已經漸漸被商用化。常見的問題,如:究竟寬能隙元件對於系統的功率密度與效率的提升幫...
    發表于 09-19 09:05 ? 2530次 閱讀
    氮化鎵與矽的MOS開關比較

    什么因素推動射頻半導體格局的變化?

    當今的半導體行業正在經歷翻天覆地的變化,這主要是由于終端市場需求變化和重大整合引起。幾十年前,業內有許多家射頻公司,它們...
    發表于 09-02 07:55 ? 641次 閱讀
    什么因素推動射頻半導體格局的變化?

    硅基氮化鎵與LDMOS相比有什么優勢?

    射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。 數十年來,橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導...
    發表于 09-02 07:16 ? 1285次 閱讀
    硅基氮化鎵與LDMOS相比有什么優勢?

    氮化鎵有哪些卓越表現?

    射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。 ...
    發表于 09-02 06:41 ? 729次 閱讀
    氮化鎵有哪些卓越表現?

    為什么使用氮化鎵?

    TI始終引領著提倡開發和實施全面性方法,確保在嚴苛操作環境下,GaN設備也能夠可靠地運行和具有出色的使用壽命。為此,我們用...
    發表于 07-31 06:19 ? 821次 閱讀
    為什么使用氮化鎵?
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