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    拜登2.25萬億大基建!強化美國本土半導體供應鏈!

    Simon觀察 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:黃山明 ? 2021-04-24 09:00 ? 次閱讀

    美國時間4月21日,由美國參議院梅嫩德斯等人在4月8日拋出的所謂“2021年戰略競爭法案”已經在美參議院外交關系委員會審議并進行表決。這份法案也讓長期以來不合的美國兩黨,罕見的放下隔閡,共同動員美國所有戰略、經濟和外交工具來抗衡中國。

    除了抗衡以外,拜登政府也在近期公布了一項規模在2.25萬億美元的基礎設施技術,主要用于修繕公路及橋梁、擴大寬帶網絡接入以及增加研發資金。值得注意的是,拜登提議國會拔出500億美元來補貼美國半導體產業的制造與芯片研發。

    圖源:NBCNEWS


    而在4月21日美國的一場聽證會上,美國商務部長雷蒙多發出警告,在半導體制造鏈上,美國嚴重依賴來自中國的廠商,同時由于缺乏半導體生產能力,美國正在面臨“國家安全風險和經濟安全風險”。

    那么市場實際情況到底如何呢?盡管當前美國在芯片設計方面仍然位居全球領先位置,但在制造上仍然依賴于海外企業。據美國半導體工業協會(SIA)去年所披露的數據顯示,全球芯片制造有75%的產能已經轉移至了東亞地區。

    而美國在半導體上的制造業份額逐年下滑,已經從1990年的37%下滑至了12%,但美國工業所使用的半導體芯片卻有88%是在非美國地區所生產制造的。舉個簡單的例子,在臺積電、三星都開始計劃量產3nm工藝時,美國本土甚至沒有7nm晶圓廠。

    加強美國芯片制造業 英特爾或成最后贏家

    在過去,半導體產業的空心化在美國的矛盾并不嚴重。但如今中美之間摩擦力度加劇,美國擔憂隨著沖突加劇,對于自己的制造產業將產生嚴重威脅。

    為此,拜登公布了2.25萬億美元的大基建計劃。該計劃包括撥款6210億美元用于交通基礎設施建設,4000億美元用于改善老弱病殘者護理服務,3000億美元用于促進制造業發展,1000億美元用于數字基礎設施建設,其他資金將分別投入住房條件改善、學校設施更新、勞動技能培訓等領域。

    值得注意的是,針對制造業方面,將投資500億美元,用于半導體制造和研究;投資500億美元,增設商務部辦公室,用來監控國內工業生產能力,并對關鍵產品給予資金支持。顯然,對于半導體芯片方面,不只是500億美元的研發制造資金,還有500億對于關鍵產品的支持,很大程度也會投入進芯片產業。

    不僅是給予資金支持,在4月12日美國白宮也舉行了一場芯片峰會,值得注意的一點是,拜登表示,美國兩黨都支持以立法的形式扶持美國半導體產業發展。

    參與芯片峰會的企業完整名單為,Alphabet、美國電話電報公司(AT&T)、康明斯(Cummins)、戴爾、福特汽車、通用汽車、格羅方德(Global Foundries)、惠普、英特爾、美敦力(Medtronic)、美光科技(Micron)、諾斯羅普·格魯曼(Northrop Grumman)、恩智浦半導體(NXP)、帕卡(PACCAR)、Piston Group、三星、SkyWater Technology、Stellantis、臺積電。

    數據來源:IC insights


    有意思的是,三星與臺積電都有參加,這兩家企業占據全球晶圓代工市場71%的市場份額。而此前臺積電已經宣布將在美國亞利桑那州斥資120億美元,建設5nm晶圓廠,三星同樣在亞利桑那州斥資170億美元建設晶圓廠。

    不過更有意思的在于,英特爾也在亞利桑那州投資200億美元,建設兩座7nm及以下工藝的晶圓廠,但問題在于英特爾目前好像并沒有制造7nm及以下晶圓的能力。

    首先說為什么這些晶圓廠都選擇在亞利桑那州建廠,主要是由于當地的電價便宜,水資源豐富,同時也有眾多的科技企業在此地落戶,這證明當地的基礎設施條件至少不差。

    但另一個問題,沒有7nm工藝制造能力的英特爾為什么開始大張旗鼓的要辦晶圓廠了,并且直接便投資先進晶圓制造廠。英特爾的CEO帕特·蓋爾辛格在近日明確表示:“臺積電三星芯片制造占比太高,美國公司應該把 1/3 的芯片留在美國本土生產?!?br />

    臺積電美國工廠|臺積電


    目前美國還需要三星和臺積電為其補充芯片制造的短板,因此強勢拉來到美國建廠,但相比之下英特爾才是美國本土嫡系。

    前幾天臺積電創始人張忠謀面對英特爾也涉足晶圓制造服務行業,表示過自己現在覺得相當諷刺,但除了諷刺之外,是否還存在著其他情緒也猶未可知。

    美國陽謀,真能拉大中美半導體差距?

    AMD收購賽靈思、英偉達欲將ARM收入囊中,英特爾收購Mobileye,這意味著這幾家企業的實力都在快速增強。而三星、臺積電在美國建廠也在不斷的補足美國的芯片制造業。

    因此從目前的情況來看,與大眾想的相反,拜登的策略對于美國而言的確是有效的,芯片設計領域,美國的優勢將進一步增強;而在芯片制造領域,美國也將占據更大的份額,并且配合其領先的芯片制造優勢進一步強化其半導體的領先地位。

    那么作為本次被美國視為頭號競爭對手的中國,情況又是如何呢?在高端芯片制造領域上,被美國感到真正具有威脅的只有華為一家,芯片技術上不斷逼近高通,同時在5G領域中占據世界領先位置,但華為也吸引到了美國對華的大部分火力,被美國大肆打壓,競爭力受到極大的損害。

    而其他半導體企業,如中興、紫光、華大、大唐等芯片廠,都未能展現出獨當一面的態勢,芯片設計方面與華為相比仍有一定差距。而地平線、寒武紀等創業型公司,目前更是在艱難求存當中。

    服務器、PC芯片霸主仍然是英特爾,手機、物聯網芯片頭把交椅仍然是高通,即便是近期國內發展火熱的AI芯片,全球商業化最成功的企業依然是美國的英偉達。

    而在制造上,中芯國際成為國內獨挑大梁的企業,但在沒有EUV光刻機的情況下,中芯國際也很難突破7nm以下制程工藝。而臺積電、三星包括英特爾等晶圓廠,將繼續向3nm以及更低制程邁進,屆時中美在芯片制造上的差距或許也將進一步拉大。

    不過有意思的是,格芯(Globalfoundries)的CEO湯姆·考爾菲德在近期接受美國媒體采訪是表示,目前全球缺芯的原因之一是針對成熟制程的投資不足,對于成熟制程的玩家應該投入更多的關注,而不是總將目光聚集在臺積電、三星等大廠的身上。

    事實上,以計算為中心的產品銷售額進展整個半導體市場的30%,但大多數資金卻投入在7nm及以下先進工藝節點上。而大部分只能設備其實并不需要基于先進制程工藝的芯片,近期汽車等產品的停工,主要原因也是成熟制程產能不足導致。

    綜上所述,美國通過1000億美元全面加強自身芯片設計、制造產業,同時將三星、臺積電拉到美國本土建廠,彌補過去美國半導體制造業空心化的現狀,也鞏固了美國在芯片核心領域的優勢,但似乎對于成熟制程的關注度卻沒有那么高。不過,半導體這一仗,對于中國而言顯然更難打了。

    本文由電子發燒友原創,轉載請注明以上來源。如需入群交流,請添加微信elecfans999,投稿爆料采訪需求,請發郵箱huangjingjing@elecfans.com。

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    歌爾微電子股份有限公司分拆至深交所創業板上市

    歌爾微主營業務包括MEMS麥克風、MEMS傳感器、微系統模組相關業務,產品主要應用于智能手機、智能無....
    的頭像 MEMS 發表于 04-25 10:12 ? 286次 閱讀
    歌爾微電子股份有限公司分拆至深交所創業板上市

    簡述智慧路燈的特點與好處

    智慧路燈到近幾年發展的很快,一方面得益于新型智慧城市的建設,一方面受到新基建、5G商用的影響,國家、....
    的頭像 司南物聯 發表于 04-25 09:42 ? 445次 閱讀
    簡述智慧路燈的特點與好處

    華大半導體獲上海市集成電路行業杰出貢獻獎

    4月22日,“上海市集成電路行業協會成立二十周年大會暨六屆一次會員大會”在上海國際會議中心隆重舉行。....
    的頭像 華大半導體有限公司 發表于 04-24 11:54 ? 812次 閱讀
    華大半導體獲上海市集成電路行業杰出貢獻獎

    淺談Archer研發的生物芯片可提升納米制造能力

    Archer芯片實驗室裝置的生物傳感器關鍵元件,已被微型化為納米級尺寸的芯片格式,這是成功開發生物芯....
    的頭像 MEMS 發表于 04-24 11:27 ? 478次 閱讀
    淺談Archer研發的生物芯片可提升納米制造能力

    功率MOSFET的基本知識分享

    “MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫,譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”...
    發表于 04-23 07:04 ? 0次 閱讀
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    TDA9886T鎖相解調器相關資料下載

    TDA9886是飛利浦半導體生產的一款符合多重標準(包括PAL、SECAM和NTSC制式)的視頻和音頻中頻信號鎖相解調器,適...
    發表于 04-23 06:27 ? 0次 閱讀
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    兼顧性能、成本的高壓功率半導體驅動IC應用,看完你就知道了

    變速驅動的需求是什么 兼顧性能、成本的高壓功率半導體驅動IC應用 ...
    發表于 04-21 07:06 ? 0次 閱讀
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    LM3361集成電路的電性能參數與典型應用電路有哪些?

    LM3361集成電路的內電路結構是什么? LM3361集成電路的電性能參數與典型應用電路有哪些? ...
    發表于 04-21 06:52 ? 0次 閱讀
    LM3361集成電路的電性能參數與典型應用電路有哪些?

    DCL器件MAX9961/62/67/68的功能特點及應用實例有哪些?

    DCL器件MAX9961/62/67/68的功能特點及應用實例有哪些?...
    發表于 04-21 06:40 ? 0次 閱讀
    DCL器件MAX9961/62/67/68的功能特點及應用實例有哪些?

    安森美半導體為智能電表應用提供了哪些解決方案?

    通信模塊:PLC調制解調器及線路驅動器方案 電源管理模塊:AC-DC、DC-DC及LDO ...
    發表于 04-20 06:38 ? 0次 閱讀
    安森美半導體為智能電表應用提供了哪些解決方案?

    如何實現不對稱半橋隔離驅動電路設計?

    常用的不對稱半橋驅動電路有哪幾種? 如何實現不對稱半橋隔離驅動電路設計? ...
    發表于 04-20 06:01 ? 0次 閱讀
    如何實現不對稱半橋隔離驅動電路設計?

    LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

    LM3xxLV系列包括單個LM321LV,雙LM358LV和四個LM324LVoperational放大器或運算放大器。這些器件采用2.7 V至5.5 V的低電壓工作。 這些運算放大器是LM321,LM358和LM324的替代產品,適用于對成本敏感的低電壓應用。一些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品。 LM3xxLV器件在低電壓下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。運算放大器在單位增益下穩定,在過驅動條件下不會反相。 ESD設計為LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM規格。 LM3xxLV系列提供具有行業標準的封裝。這些封裝包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 用于成本敏感系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1 mV 共模電壓范圍包括接地 單位增益帶寬:1 MHz 低寬帶噪聲:40 nV /√ Hz < li>低靜態電流:90μA/Ch 單位增益穩定 工作電壓為2.7 V至5.5 V 提供單,雙和四通道變體 穩健的ESD規范:2 kV HBM 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
    發表于 01-08 17:51 ? 1714次 閱讀
    LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

    TLV9052 5MHz、15-V/μs 高轉換率 RRIO 運算放大器

    TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分別是單,雙和四運算放大器。這些器件針對1.8 V至5.5 V的低電壓工作進行了優化。輸入和輸出可以以非常高的壓擺率從軌到軌工作。這些器件非常適用于需要低壓工作,高壓擺率和低靜態電流的成本受限應用。這些應用包括大型電器和三相電機的控制。 TLV905x系列的容性負載驅動為200 pF,電阻性開環輸出阻抗使容性穩定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因為器件是統一的 - 增益穩定,包括一個RFI和EMI濾波器,在過載條件下不會發生反相。 特性 高轉換率:15 V /μs 低靜態電流:330μA 軌道-to-Rail輸入和輸出 低輸入失調電壓:±0.33 mV 單位增益帶寬:5 MHz 低寬帶噪聲:15 nV /√ Hz 低輸入偏置電流:2 pA Unity-Gain穩定 內部RFI和EMI濾波器 適用于低成本應用的可擴展CMOS運算放大器系列 工作電壓低至1.8 V 由于電阻開環,電容負載更容易穩定輸出阻抗 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
    發表于 01-08 17:51 ? 385次 閱讀
    TLV9052 5MHz、15-V/μs 高轉換率 RRIO 運算放大器

    TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地溫度傳感器

    TMP422是具有內置本地溫度傳感器的遠程溫度傳感器監視器。遠程溫度傳感器具有二極管連接的晶體管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 類晶體管或者作為微控制器,微處理器,或者FPGA組成部分的二極管。 無需校準,對多生產商的遠程精度是±1°C。這個2線串行接口接受SMBus寫字節,讀字節,發送字節和接收字節命令對此器件進行配置。 TMP422包括串聯電阻抵消,可編程非理想性因子,大范圍遠程溫度測量(高達150℃),和二極管錯誤檢測。 TMP422采用SOT23-8封裝。 特性 SOT23-8封裝 ±1°C遠程二極管傳感器(最大值) ±2.5°C本地溫度傳感器(最大值) 串聯電阻抵消 n-因子校正 兩線/SMBus串口 多重接口地址 二極管故障檢測 RoHS兼容和無Sb /Br 參數 與其它產品相比?數字溫度傳感器 ? Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? TMP422-...
    發表于 01-08 17:51 ? 311次 閱讀
    TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地溫度傳感器

    LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

    LP8733xx-Q1專為滿足的電源管理要求而設計,這些處理器和平臺用于汽車應用中的閉環性能。該器件具有兩個可配置為單個兩相穩壓器或兩個單相穩壓器的降壓直流/直流轉換器和兩個線性穩壓器以及通用數字輸出信號。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動PWM /PFM(AUTO模式)操作與自動相位增加/減少相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持遠程電壓檢測(采用兩相配置的差分),可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8733xx-Q1器件支持可編程啟動和關斷延遲與排序(包括與使能信號同步的GPO信號)。在啟動和電壓變化期間,器件會對出轉換率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性:器件溫度 1 級:-40℃ 至 +125℃ 的環境運行溫度范圍輸入電壓:2.8V 至 5.5V兩個高效降壓直流/直流轉換器:輸出電壓:0.7V 至 3.36V最大輸出電流 3A/相采用兩相配置的自動相位增加/減少和強制多相操作采用兩相配置的遠...
    發表于 01-08 17:51 ? 418次 閱讀
    LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

    TPS3840 具有手動復位和可編程復位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

    TPS3840系列電壓監控器或復位IC可在高電壓下工作,同時在整個V DD 上保持非常低的靜態電流和溫度范圍。 TPS3840提供低功耗,高精度和低傳播延遲的最佳組合(t p_HL =30μs典型值)。 當VDD上的電壓低于負電壓閾值(V IT - )或手動復位拉低邏輯(V MR _L )。當V DD 上升到V IT - 加滯后(V IT + )和手動復位( MR )時,復位信號被清除)浮動或高于V MR _H ,復位時間延遲(t D )到期??梢酝ㄟ^在CT引腳和地之間連接一個電容來編程復位延時。對于快速復位,CT引腳可以懸空。 附加功能:低上電復位電壓(V POR ), MR 和VDD的內置線路抗擾度保護,內置遲滯,低開漏輸出漏電流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的電壓監測解決方案,適用于工業應用和電池供電/低功耗應用。 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 特性 寬工作電壓:1.5 V至10 V 納米電源電流:350 nA(典型值) 固定閾值電壓(V IT - ) 閾值從1.6 V到4.9 V,步長為0.1 V 高精度:1%(典型值) 內置滯后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
    發表于 01-08 17:51 ? 759次 閱讀
    TPS3840 具有手動復位和可編程復位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

    INA240-SEP 采用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

    INA240-SEP器件是一款電壓輸出,電流檢測放大器,具有增強的PWM反射功能,能夠在寬共模電壓下檢測分流電阻上的壓降范圍為-4V至80V,與電源電壓無關。負共模電壓允許器件在地下工作,適應典型電磁閥應用的反激時間。 EnhancedPWM抑制為使用脈沖寬度調制(PWM)信號的大型共模瞬變(ΔV/Δt)系統(如電機驅動和電磁閥控制系統)提供高水平的抑制。此功能可實現精確的電流測量,無需大的瞬態電壓和輸出電壓上的相關恢復紋波。 該器件采用2.7 V至5.5 V單電源供電,最大電源電流為2.4 mA 。固定增益為20 V /V.零漂移架構的低失調允許電流檢測,分流器上的最大壓降低至10 mV滿量程。 特性 VID V62 /18615 抗輻射 單事件閂鎖(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圓批次可達30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空間增強塑料 受控基線 金線 NiPdAu LeadFinish < /li> 一個裝配和測試現場 一個制造現場 可用于軍用(-55°C至125°C)溫度范圍 ExtendedProduct生命周期 擴展產品更改通知 產品可追溯性 用于低釋氣的增強型模具化合物 增強型PWM抑制 出色...
    發表于 01-08 17:51 ? 370次 閱讀
    INA240-SEP 采用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

    LM96000 具有集成風扇控制的硬件監控器

    LM96000硬件監視器具有與SMBus 2.0兼容的雙線數字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000測量: 兩個遠程二極管連接晶體管及其自身裸片的溫度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V電源(內部定標電阻)。 為了設置風扇速度,LM96000有三個PWM輸出,每個輸出由三個溫度區域之一控制。支持高和低PWM頻率范圍。 LM96000包括一個數字濾波器,可調用該濾波器以平滑溫度讀數,從而更好地控制風扇速度。 LM96000有四個轉速計輸入,用于測量風扇速度。包括所有測量值的限制和狀態寄存器。 特性 符合SMBus 2.0標準的2線制串行數字接口 8位ΣΔADC 監控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/處理器電源 監控2個遠程熱二極管 基于溫度讀數的可編程自主風扇控制 風扇控制溫度讀數的噪聲過濾 1.0°C數字溫度傳感器分辨率 3 PWM風扇速度控制輸出 提供高低PWM頻率范圍 4風扇轉速計輸入 監控5條VID控制線 24針TSSOP封裝 XOR-tree測試模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
    發表于 01-08 17:51 ? 515次 閱讀
    LM96000 具有集成風扇控制的硬件監控器

    LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極管數字溫度傳感器

    LM63是一款帶集成風扇控制的遠程二極管溫度傳感器。 LM63精確測量:(1)自身溫度和(2)二極管連接的晶體管(如2N3904)或計算機處理器,圖形處理器單元(GPU)和其他ASIC上常見的熱敏二極管的溫度。 LM63遠程溫度傳感器的精度針對串聯電阻和英特爾0.13μm奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱敏二極管的1.0021非理想性進行了工廠調整。 LM63有一個偏移寄存器,用于校正由其他熱二極管的不同非理想因素引起的誤差。 LM63還具有集成的脈沖寬度調制(PWM)開漏風扇控制輸出。風扇速度是遠程溫度讀數,查找表和寄存器設置的組合。 8步查找表使用戶能夠編程非線性風扇速度與溫度傳遞函數,通常用于靜音聲學風扇噪聲。 特性 準確感應板載大型處理器或ASIC上的二極管連接2N3904晶體管或熱二極管 準確感知其自身溫度< /li> 針對英特爾奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱二極管的工廠調整 集成PWM風扇速度控制輸出 使用用戶可編程降低聲學風扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 輸出或轉速計輸入,功能的多功能,用戶可選引腳 用于測量風扇RPM的轉速計輸入< /li> 用于測量典型應用中脈沖寬度調制功率的風扇轉速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可針對...
    發表于 01-08 17:51 ? 845次 閱讀
    LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極管數字溫度傳感器

    AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感器

    AWR1843器件是一款集成的單芯片FMCW雷達傳感器,能夠在76至81 GHz頻段內工作。該器件采用TI的低功耗45納米RFCMOS工藝制造,可在極小的外形尺寸內實現前所未有的集成度。 AWR1843是汽車領域低功耗,自監控,超精確雷達系統的理想解決方案。 AWR1843器件是一款獨立的FMCW雷達傳感器單芯片解決方案,可簡化在76至81 GHz頻段內實施汽車雷達傳感器。它基于TI的低功耗45納米RFCMOS工藝,可實現具有內置PLL和A2D轉換器的3TX,4RX系統的單片實現。它集成了DSP子系統,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷達信號處理。該設備包括BIST處理器子系統,負責無線電配置,控制和校準。此外,該器件還包括一個用戶可編程ARM R4F,用于汽車接口。硬件加速器模塊(HWA)可以執行雷達處理,并可以幫助在DSP上保存MIPS以獲得更高級別的算法。簡單的編程模型更改可以實現各種傳感器實現(短,中,長),并且可以動態重新配置以實現多模傳感器。此外,該設備作為完整的平臺解決方案提供,包括參考硬件設計,軟件驅動程序,示例配置,API指南和用戶文檔。 特性 FMCW收發器 集成PLL,發送器,接收...
    發表于 01-08 17:51 ? 1848次 閱讀
    AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感器

    OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

    OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度運算放大器是超低噪聲,快速穩定,零漂移,零交叉器件,可實現軌到軌輸入和輸出運行。這些特性及優異交流性能與僅為0.25μV的偏移電壓以及0.005μV/°C的溫度漂移相結合,使OPAx388成為驅動高精度模數轉換器(ADC)或緩沖高分辨率數模轉換器(DAC)輸出的理想選擇。該設計可在驅動模數轉換器(ADC)的過程中實現優異性能,不會降低線性度.OPA388(單通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三種封裝.OPA2388(雙通道版本)提供VSSOP-8和SO-8兩種封裝.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14兩種封裝。上述所有版本在-40°C至+ 125°C擴展工業溫度范圍內額定運行。 特性 超低偏移電壓:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR實際RRIO 低噪聲:1kHz時為7.0nV /√ Hz 無1 /f噪聲:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速穩定:2μs(1V至0.01%) 增益帶寬:10MHz 單電源:2.5V至5.5V 雙電源:±1.25V至±2.75V 真實軌到軌輸入和輸出 已濾除電磁干擾( EMI)/射頻干擾(RFI)的輸入 行業標...
    發表于 01-08 17:51 ? 1607次 閱讀
    OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

    TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

    TLVx314-Q1系列單通道,雙通道和四通道運算放大器是新一代低功耗,通用運算放大器的典型代表。該系列器件具有軌到軌輸入和輸出(RRIO)擺幅,低靜態電流(5V時典型值為150μA),3MHz高帶寬等特性,非常適用于需要在成本與性能間實現良好平衡的各類電池供電型應用。 TLVx314-Q1系列可實現1pA低輸入偏置電流,是高阻抗傳感器的理想選擇。 TLVx314-Q1器件采用穩健耐用的設計,方便電路設計人員使用。該器件具有單位增益穩定性,支持軌到軌輸入和輸出(RRIO),容性負載高達300PF,集成RF和EMI抑制濾波器,在過驅條件下不會出現反相并且具有高靜電放電(ESD)保護(4kV人體模型(HBM))。 此類器件經過優化,適合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低電壓狀態下工作并可在-40°C至+ 125°C的擴展工業溫度范圍內額定運行。 TLV314-Q1(單通道)采用5引腳SC70和小外形尺寸晶體管(SOT)-23封裝.TLV2314-Q1(雙通道版本)采用8引腳小外形尺寸集成電路(SOIC)封裝和超薄外形尺寸(VSSOP)封裝。四通道TLV4314-Q1采用14引腳薄型小外形尺寸(TSSOP)封裝。 特性 符合汽車類應用的要求 具...
    發表于 01-08 17:51 ? 215次 閱讀
    TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

    DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

    DRV5021器件是一款用于高速應用的低壓數字開關霍爾效應傳感器。該器件采用2.5V至5.5V電源工作,可檢測磁通密度,并根據預定義的磁閾值提供數字輸出。 該器件檢測垂直于封裝面的磁場。當施加的磁通密度超過磁操作點(B OP )閾值時,器件的漏極開路輸出驅動低電壓。當磁通密度降低到小于磁釋放點(B RP )閾值時,輸出變為高阻抗。由B OP 和B RP 分離產生的滯后有助于防止輸入噪聲引起的輸出誤差。這種配置使系統設計更加強大,可抵抗噪聲干擾。 該器件可在-40°C至+ 125°C的寬環境溫度范圍內始終如一地工作。 特性 數字單極開關霍爾傳感器 2.5 V至5.5 V工作電壓V CC 范圍 磁敏感度選項(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感應帶寬 開漏輸出能夠達到20 mA 優化的低壓架構 集成滯后以增強抗噪能力 工作溫度范圍:-40° C至+ 125°C 標準工業封裝: 表面貼裝SOT-23 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?霍爾效應鎖存器和開關 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
    發表于 01-08 17:51 ? 405次 閱讀
    DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

    TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

    TLV1805-Q1高壓比較器提供寬電源范圍,推挽輸出,軌到軌輸入,低靜態電流,關斷的獨特組合和快速輸出響應。所有這些特性使該比較器非常適合需要檢測正或負電壓軌的應用,如智能二極管控制器的反向電流保護,過流檢測和過壓保護電路,其中推挽輸出級用于驅動柵極p溝道或n溝道MOSFET開關。 高峰值電流推挽輸出級是高壓比較器的獨特之處,它具有允許輸出主動驅動負載到電源軌的優勢具有快速邊緣速率。這在MOSFET開關需要被驅動為高或低以便將主機與意外高壓電源連接或斷開的應用中尤其有價值。低輸入失調電壓,低輸入偏置電流和高阻態關斷等附加功能使TLV1805-Q1足夠靈活,可以處理幾乎任何應用,從簡單的電壓檢測到驅動單個繼電器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100標準,采用6引腳SOT-23封裝,額定工作溫度范圍為-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下結果: DeviceTemperature 1級:-40°C至+ 125°C環境溫度工作溫度 器件HBMESD分類等級2 器件CDM ESD分類等級C4A 3.3 V至40 V電源范圍 低靜態電流:每個比較器150μA 兩個導軌以外的輸入共模范圍 相位反轉保護 推 - 拉輸出 250ns傳播延遲 低輸入失...
    發表于 01-08 17:51 ? 380次 閱讀
    TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

    TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度傳感器

    這個遠程溫度傳感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶體管,或者基板熱晶體管/二極管,這些器件都是微處理器,模數轉換器(ADC),數模轉換器(DAC),微控制器或現場可編程門陣列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和遠程傳感器均用12位數字編碼表示溫度,分辨率為0.0625°C。此兩線制串口接受SMBus通信協議,以及多達9個不同的引腳可編程地址。 該器件將諸如串聯電阻抵消,可編程非理想性因子(η因子),可編程偏移,可編程溫度限制和可編程數字濾波器等高級特性完美結合,提供了一套準確度和抗擾度更高且穩健耐用的溫度監控解決方案。 TMP461-SP是在各種分布式遙測應用中進行多位置高精度溫度測量的理想選擇這類集成式本地和遠程溫度傳感器可提供一種簡單的方法來測量溫度梯度,進而簡化了航天器維護活動。該器件的額定電源電壓范圍為1.7V至3.6V,額定工作溫度范圍為-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV標準:5962-1721801VXC 熱增強型HKU封裝 經測試,在50rad /s的高劑量率(HDR)下,可抵抗高達50krad(Si)的電離輻射總劑量(TID) 經測試,在10mrad /s的低劑量率(LDR)下,可抵抗高達100krad(Si)的電離輻射...
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    TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度傳感器

    LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

    LP87524B /J /P-Q1旨在滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求。該器件包含四個降壓DC-DC轉換器內核,配置為4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自動PFM /PWM(自動模式)操作可在寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持遠程電壓檢測,以補償穩壓器輸出和負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,開關時鐘可以強制為PWM模式,也可以與外部時鐘同步,以最大限度地減少干擾。 LP87524B /J /P-Q1器件支持負載電流測量,無需增加外部電流檢測電阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1還支持可編程的啟動和關閉延遲以及與信號同步的序列。這些序列還可以包括GPIO信號,以控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位。在啟動和電壓變化期間,器件控制輸出壓擺率,以最大限度地減少輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車應用要求 AEC-Q100符合以下結果: 設備溫度等級1:-40°C至+ 125°C環境工作溫度 輸入電壓:2.8 V至5.5 V 輸出電壓:0.6 V至3.36 V 四個高效降壓型DC-DC轉換器內核: 總輸出電流高達10 A 輸出電壓漏電率...
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    LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

    TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

    TAS2562是一款數字輸入D類音頻放大器,經過優化,能夠有效地將高峰值功率驅動到小型揚聲器應用中。 D類放大器能夠在電壓為3.6 V的情況下向6.1負載提供6.1 W的峰值功率。 集成揚聲器電壓和電流檢測可實現對揚聲器的實時監控。這允許在將揚聲器保持在安全操作區域的同時推動峰值SPL。具有防止掉電的電池跟蹤峰值電壓限制器可優化整個充電周期內的放大器裕量,防止系統關閉。 I 2 S /TDM + I中最多可有四個器件共用一個公共總線 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm間距CSP封裝,尺寸緊湊。 高性能D類放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V時4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V時為8Ω) 15μVrmsA加權空閑信道噪聲 112.5dB SNR為1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 紋波頻率為20 - 20 kHz 83.5%效率為1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW關斷VBAT電流 揚聲器電壓和電流檢測 VBAT跟蹤峰值電壓限制器,具有欠壓預防 8 kHz至192 kHz采樣率 靈活的用戶界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4個可選擇的地址 MCLK免費操作 低流行并點...
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    TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

    LM358B 雙路運算放大器

    LM358B和LM2904B器件是業界標準的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括兩個高壓(36V)操作放大器(運算放大器)。這些器件為成本敏感型應用提供了卓越的價值,具有低失調(300μV,典型值),共模輸入接地范圍和高差分輸入電壓能力等特點。 LM358B和LM2904B器件簡化電路設計具有增強穩定性,3 mV(室溫下最大)的低偏移電壓和300μA(典型值)的低靜態電流等增強功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF濾波器,可用于最堅固,極具環境挑戰性的應用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封裝,例如TSOT-8和WSON,以及行業標準封裝,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的寬電源范圍(B版) 供應 - 電流為300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的單位增益帶寬(B版) 普通 - 模式輸入電壓范圍包括接地,使能接地直接接地 25°C時低輸入偏移電壓3 mV(A和B型號,最大值) 內部RF和EMI濾波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的產品上,除非另有說明,否則所有參數均經過測試。在所有其他產品上,生產加工不一定包括所有參數的測試。 所...
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    LM358B 雙路運算放大器

    LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

    LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用于控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
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    LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

    LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

    LM290xLV系列包括雙路LM2904LV和四路LM2902LV運算放大器。這些器件由2.7V至5.5V的低電壓供電。 這些運算放大器可以替代低電壓應用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品.LM290xLV器件在低電壓下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗盡。這些運算放大器具有單位增益穩定性,并且在過驅情況下不會出現相位反轉.ESD設計為LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM規格。 LM290xLV系列采用行業標準封裝。這些封裝包括SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 適用于成本敏感型系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1mV < LI>共模電壓范圍包括接地 單位增益帶寬:1MHz的 低寬帶噪聲:40nV /√赫茲 低靜態電流:90μA/通道 單位增益穩定 可在2.7V至5.5V的電源電壓下運行 提供雙通道和四通道型號< /li> 嚴格的ESD規格:2kV HBM 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
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    LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

    LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器

    LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用于控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
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    LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器
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